Leistungshalbleiter

Für kleinere Treiber in AC-Verbrauchern

Robuste 800 V- Triacs schaffen 150°C

Hohe Spannungen und hohe Temperaturen sind eigentlich keine Triac-Freunde. Die neuen 800 V 8H-Triacs von STMicroelectronics verkraften den vollen Nennstrom bis 150°C Sperrschichttemperatur. Die Kühlkörper für Wechselstromverbraucher müssen bei gleicher Zuverlässigkeit nur noch halb so groß sein.

Galliumnitrid-Halbleiter

Weniger Defekte in GaN-Kristallen

Üblicherweise werden GaN-Kristalle aus der Dampfphase per MOCVD abgeschieden. Doch die...

Halbleitermarkt 2021

Wachstum ist „unvermeidbar“

Stephan zur Verth, Vorsitzender der Fachgruppe Halbleiter-Bauelemente im...

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei...

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese...

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid...

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als...

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste...

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid...

UnitedSiC / Siiliziumkarbid

Vierte Generation an SiC-Transistoren

Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation...